| 指数 | 收盘 | 涨跌幅 |
|---|---|---|
| 费城半导体指数(SOX) | 13,136.68 点 | +2.40%(三个月最高) |
| 纳斯达克100指数 | 30,807.93 点 | +1.00%(收盘创纪录新高) |
| 纳斯达克综合指数 | — | +1.19%(盘中创新高) |
| 标普500 | — | +0.73% |
| 纳斯达克中国金龙指数 | — | -2.09% |
基本面:跟踪中证芯片产业指数(000685),覆盖芯片设计、制造、封测、设备材料龙头。跟踪指数9-30收3629.90,距60日高点-33.1%,与ETF走势同步。
近期动态:
技术面(K线截至 2026-09-30 收盘)
| 最新收盘 | 0.838(2026-09-30) |
|---|---|
| 均线 | MA5 0.8758 / MA20 0.8758 / MA60 0.9307 |
| 60日高低 | 1.255 / 0.807 |
| 距60日高点 | -33.23% |
| 近5日涨跌 | -9.11% |
| BIAS20 | -4.32% |
| 最新量能/前5日均 | 0.74x |
基本面:跟踪中证半导体材料设备指数(931743),聚焦半导体设备与材料环节。跟踪指数9-30收8756.00,距60日高点-33.04%。
近期动态:
技术面(K线截至 2026-09-30 收盘)
| 最新收盘 | 1.021(2026-09-30) |
|---|---|
| 均线 | MA5 1.0704 / MA20 1.0718 / MA60 1.1371 |
| 60日高低 | 1.546 / 0.951 |
| 距60日高点 | -33.96% |
| 近5日涨跌 | -9.08% |
| BIAS20 | -4.74% |
| 最新量能/前5日均 | 0.88x |
基本面:长鑫科技:DRAM IDM厂商,2026-07-27科创板上市;第五代DRAM工艺量产(内存阵列有源区半间距11.95nm);产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6;境内专利4484项、境外3400项,研发人员7491人(占员工总数超33%);2026上半年营收1503.1亿元(同比+873.64%)、净利776.05亿元,全球DRAM市场份额逼近10%、居全球第四。(新浪财经9-29、Marsbit 9-30引CFM闪存市场)
近期动态:
技术面(K线截至 2026-09-30 收盘)
| 最新收盘 | 54.79(2026-09-30) |
|---|---|
| 均线 | MA5 55.792 / MA20 55.9425 |
| 60日高低 | 61.8 / 47.0 |
| 距60日高点 | -11.34% |
| 近5日涨跌 | -5.31% |
| BIAS20 | -2.06% |
| 最新量能/前5日均 | 0.56x |